其實其中關鍵的一半，在于MBE方法的使用。

如題所說生長方法是MBE(molecular beam epitaxy, MBE)是做薄膜材料生長，科研領域里的一個比較常見的方法。但是，做薄膜這事，科研上用的很多的方法未必能在工業上用。工業上一般就三大類：真空蒸鍍，磁控濺射和CVD。個人建議不妨考慮一下磁控濺射方法。CVD也查一下資料吧。這倆估計項目投資也就幾千萬到幾個億罷了（逃，半導體就這樣）

MBE是在超高真空環境下，直接將已經被原子化的半導體元素直接“噴”到襯底表面。在高級的MBE設備里，你可以使用幾個噴槍同時噴原子到襯底表面上。

關于這道題，可能的做法是：

1. 先在襯底上制造藍光LED器件。因為藍光LED相比紅黃光最難做。
2. 用MBE儀噴紅，黃光LED到已經被制造成功的藍光LED器件上。借此應該是可以制造出，白光LED的。

當然，或許用熒光粉可以替代其中的部分半導體生長工藝。

在這個過程中要盡量少做薄膜蒸鍍，用熒光粉或者摻雜之類替代是一個很好的思路。

優點：毫無疑問MBE做薄膜生長是非常高級的方法（相比工業上應用的比較多的真空蒸鍍和磁控濺射）。這種方法是可以制造極高品質薄膜器件的。尤其是可以制造一些，用傳統方法不可能制造出來的器件。

缺點：這套設備價格會非常高。首先，要求真空度在10負8次方以下，光是真空設備就是一個極大的支出了。另外，成型的專門做MBE的設備，價格至少都在數百萬人民幣以上。因為大學做MBE的都不是非常多。能夠成規模大批制造白光LED器件的工業設備價格只會更可怕（整個生產線或許吃掉幾十個億都是很輕松的）。