北京時(shí)間02月20日消息，中國觸摸屏網(wǎng)訊，MiniLED專題報(bào)告-從高密度顯示看LED產(chǎn)業(yè)鏈新動(dòng)能。間距與尺寸為度量，三階段擴(kuò)寬顯示市場(chǎng)

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未來的顯示面板需要更高的解析度、曲面化、輕薄化、高動(dòng)態(tài) HDR 的顯示效果， 傳統(tǒng)背光走向自發(fā)光方式，LED顯示進(jìn)而成為一大主流攻克方向。同時(shí)由于LED 也能搭配柔性基板，實(shí)現(xiàn)與 OLED 抗衡的曲面顯示，甚至是透明顯示；再加上 OLED目前的可靠性與使用壽命暫時(shí)有缺陷，Mini LED 與Micro LED應(yīng)運(yùn)而生。 以 2015 年為起點(diǎn)，我們判斷 LED 顯示屏貢獻(xiàn)度呈階段式爬升，實(shí)現(xiàn)三階段跨 越：小間距市場(chǎng)持續(xù)拓寬，Mini LED 量產(chǎn)可期，Micro LED 終極顯示變?yōu)楝F(xiàn)實(shí)。

小間距為啟發(fā)，LED 產(chǎn)業(yè)鏈新動(dòng)能

技術(shù)進(jìn)步使得小間距 LED 擴(kuò)寬商顯市場(chǎng)、激發(fā)海外需求、提升單位價(jià)值量。然而技術(shù)的限制也讓其止步于更精細(xì)化的市場(chǎng)，留給 Mini LED、Micro LED 技術(shù) 更多舞臺(tái)，迎接 LED 產(chǎn)業(yè)下一個(gè)高點(diǎn)。

Micro LED：面向未來，LED 顯示的傳承與革命

Micro LED 以 50 微米為晶粒尺寸界限，配備 TFT 或 CMOS 驅(qū)動(dòng)電路，且無需 封裝，可實(shí)現(xiàn)晶粒緊密排布，到達(dá)極高的像素密度。由于 LED 芯片的精密程度 幾何增長式提升，共衍生出三大難點(diǎn)，一是巨量轉(zhuǎn)移，二是難以修復(fù)，三是背 板方案多變?yōu)?TFT 基板和 CPU 與內(nèi)存所采用的單晶硅基板。因此，Micro LED 既有 LED、面板與集成電路各領(lǐng)域的成熟經(jīng)驗(yàn)做支撐，又需要?jiǎng)?chuàng)新巨量轉(zhuǎn)移技 術(shù)，其撬動(dòng)的巨大顯示蛋糕吸引著產(chǎn)業(yè)鏈共同努力。

Mini LED：亟待成型，產(chǎn)業(yè)鏈的折中之舉

相較于 Micro LED，折中方案的 Mini LED 在顯示領(lǐng)域更容易實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，并且還 可以在背光領(lǐng)域快速突破，給產(chǎn)業(yè)鏈更多的正反饋，因此 Mini LED 產(chǎn)品于去年 下半年快速突破。但 Mini LED 與 Micro LED 的技術(shù)路徑暫時(shí)不統(tǒng)一，廠商在襯 底材料、MOCVD 設(shè)備、封裝方式、驅(qū)動(dòng)方式等各個(gè)環(huán)節(jié)均處于探索期。

高密度 LED 顯示是全產(chǎn)業(yè)鏈的機(jī)遇

Mini LED、Micro LED 的發(fā)展同樣是 LED 產(chǎn)業(yè)鏈供給端格局變化的過程，我們 看好 Mini LED、Micro LED 趨勢(shì)下，我國 LED 產(chǎn)業(yè)鏈在擁有先發(fā)優(yōu)勢(shì)，依次 建議關(guān)注產(chǎn)業(yè)鏈上下游有能力儲(chǔ)備新興技術(shù)的優(yōu)質(zhì)企業(yè)。

風(fēng)險(xiǎn)提示： 1. Mini LED、Micro LED 商用進(jìn)度不及預(yù)期； 2. 電子終端硬件銷量不及預(yù)期。
 

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