北京時間10月16日消息，中國觸摸屏網訊，葛店開發區推進三安光電Mini/Micro LED項目規劃建設。葛店開發區召開現場辦公會，區住建局、審批局、國土分局、環保局等20個部門集中為三安光電項目規劃建設解難題。

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　　據了解，三安光電Mini/Micro顯示芯片產業化項目是我國初個大規模微發光二極管芯片項目(Mini/Micro LED)，于4月24日簽約，并于7月29日在葛店開發區舉行了開工儀式。該項目計劃總投資120億元，用地約756畝，將爭取在各項手續完備后36個月內完成項目建設并實現投產，48個月內實現達產;爭取在各項手續齊備、相關配套設施完備的前提下，一期投資在24個月內完成項目建設并投產。

　　目前，三安光電項目前期工作人員已入駐，湖北三安光電有限公司已于6月25日注冊成立，并于7月15日完成項目備案。葛店開發區已向三安光電提供用地選址及地塊周邊生產要素資料，三安光電于7月21日完成可研報告，9月下旬完成規劃初步方案，項目環評及安評等正在進行中。

　　三安光電Mini/Micro LED芯片項目，將建成Mini/Micro LED氮化鎵芯片、Mini/Micro LED砷化鎵芯片、4K顯示屏用封裝三大產品系列的研發生產基地，預計將形成年產Mini LED芯片210萬片、Micro LED芯片26萬片、4K顯示屏用封裝產品84000臺的研發制造能力。預計氮化鎵芯片系列年產161萬片(其中藍光Mini LED 72萬片/年，藍光Micro LED 9萬片/年，綠光Mini LED 72萬片/年，綠光Micro LED 8萬片/年);砷化鎵芯片系列年產75萬片(其中紅光Mini LED 66萬片/年，紅光Micro LED 9萬片/年)。

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