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韓國研究團隊KAIST提出突破Micro LED顯示器分辨率限制的技術

作者:未知時間:2020-01-09 來源:LEDinside

[摘要]據Business Korea報道,韓國研究團隊KAIST提出一項能夠突破Micro LED顯示器分辨率限制的技術。新技術有望用來生產高分辨率小顯示器,用于VR/AR等裝置。

    北京時間01月09日消息,中國觸摸屏網訊,KAIST研發新技術,成功突破MicroLED顯示器分辨率限制。據Business Korea報道,韓國研究團隊KAIST提出一項能夠突破Micro LED顯示器分辨率限制的技術。新技術有望用來生產高分辨率小顯示器,用于VR/AR等裝置。

    本文來自:http://www.zc28898.cn/lcd/news/dynamic/2020/0109/56071.html

6日,KAIST宣布由電子工程系Kim Sang-hyun教授帶領的研究小組研發了采用半導體制造技術生產每英寸超過63,500像素的技術。

Micro LED顯示器使用微米尺寸的無機發光二極管作為像素點。鑒于此,紅綠藍(RGB)像素必須緊密排列,但能生產RGB三種顏色的LED材料各不相同,因此,每顆LED必須轉錄到顯示基板上。

然而,在此過程中會產生很多技術難題,如LED轉移頭的尺寸限制、機械精度及良率降低等問題,因此,很難將此技術應用到超高分辨率的顯示器上。

目前,KAIST研究團隊已經開發出一種生產高分辨率Micro LED顯示器設備的新方法。據悉,他們將紅綠藍LED主動層堆疊在3D空間之后再使用半導體圖案化工藝。為解決在垂直堆疊RGB LED過程中產生的顏色干擾以及每個微小像素的效率等問題,該團隊在結合面上放置具有濾光片特性的絕緣膜,將紅色和藍色干擾光線消除了97%。最后,研究團隊成功實現每英寸超過6萬像素的高分辨率,提高了微發光二極管的效率。

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