北京時間03月08日消息，中國觸摸屏網訊，國星光電加碼LED芯片業務 擬2.2億元增資國星半導體。3月6日，國星光電發布公告稱，公司擬以自有資金2.2億元對國星半導體進行增資，本次增資完成后國星半導體注冊資本由6億元增加至8.2億元。 公告顯示，國星半導體主要從事于LED外延片和芯片、LED器件、LED光源和燈具產品、半導體光電產品的生產、研發、銷售。其2019年及2020年1-9月實現營收分別為3.21億元、1.32億元；對應的凈利潤分別為-8467.43萬元、-3992.63萬元。 國星光電表示，國星半導體是公司全力推進“立足封裝，做大做強，兼顧上下游垂直一體化發展”戰略的重要支撐，公司本次增資主要用于國星半導體實施技改項目，具體應用包括購買相關設備、原材料、補充流動資金等，增資意在促進公司LED上游芯片業務端發展，有助于進一步優化上游芯片產品結構，增強業務盈利能力，深化發揮產業鏈協同效應，對公司綜合競爭實力及抗風險能力的提升起到重要作用。 不過，國星光電也認為，增資完成后國星半導體在實際經營過程中可能受到政策變化、市場競爭、經營管理等風險因素影響，投資收益可能存在不確定性。公司將持續加強對國星半導體的資金管理和對外投資風險的管理，通過專業化的運作和管理等方式積極防范和降低相關風險。

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國星光電加碼LED芯片業務 擬2.2億元增資國星半導體

 


 

 3月6日，國星光電發布公告稱，公司擬以自有資金2.2億元對國星半導體進行增資，本次增資完成后國星半導體注冊資本由6億元增加至8.2億元。

公告顯示，國星半導體主要從事于LED外延片和芯片、LED器件、LED光源和燈具產品、半導體光電產品的生產、研發、銷售。其2019年及2020年1-9月實現營收分別為3.21億元、1.32億元；對應的凈利潤分別為-8467.43萬元、-3992.63萬元。

國星光電表示，國星半導體是公司全力推進“立足封裝，做大做強，兼顧上下游垂直一體化發展”戰略的重要支撐，公司本次增資主要用于國星半導體實施技改項目，具體應用包括購買相關設備、原材料、補充流動資金等，增資意在促進公司LED上游芯片業務端發展，有助于進一步優化上游芯片產品結構，增強業務盈利能力，深化發揮產業鏈協同效應，對公司綜合競爭實力及抗風險能力的提升起到重要作用。

不過，國星光電也認為，增資完成后國星半導體在實際經營過程中可能受到政策變化、市場競爭、經營管理等風險因素影響，投資收益可能存在不確定性。公司將持續加強對國星半導體的資金管理和對外投資風險的管理，通過專業化的運作和管理等方式積極防范和降低相關風險。

國星光電與包頭稀土研發中心共建聯合實驗室 聚焦稀土共晶熒光體半導體激光器

國星光電與中國科學院包頭稀土研發中心簽署了共建聯合實驗室合作協議，共建“國星光電研究院-中科院包頭稀土研發中心聯合實驗室”。

聯合實驗室將利用包頭市稀土特色產業及佛山市光電產業技術優勢，開展稀土共晶熒光體及其在半導體激光器封裝應用關鍵技術研究。

中國科學院包頭稀土研發中心于2015年5月12日掛牌成立，聚焦稀土產業最新成果，實施高技術跟蹤計劃，已開展了稀土共晶熒光體、稀土金屬復合除氟除砷吸附劑、稀土化學位移試劑等15項高技術跟蹤項目。建設中試示范線，建立了稀土硫化物、稀土特種鋼、稀土儲氫合金等10條成果轉化中試示范線，推進科技成果走出實驗室并加速轉化。

今年1月，國星光電發布業績預告稱，公司預計2020年度歸屬于上市公司股東的凈利潤為8971.70萬元-11418.53萬元，同比下降72%-78%。上年同期盈利為40780.46萬元。

國星光電改善Mini-LED發光角度

國星光電表示，其Mini LED芯片已具備量產能力，公司將根據市場情況實施擴產計劃。國星光電積極與國際知名顯示廠商聯手合作，已成為某國際大廠進入Mini LED超高清顯示領域首個認證通過的供應商。

Mini LED指大小為50～200μm的LED，又稱為次毫米發光二極管。Mini LED是近年來LED技術發展的主力，被廣泛地應用到背光、VR屏幕、手機顯示屏小型顯示屏等領域。然而，由于其發光角小，使其難以應用在較大規格的屏幕上。

為此，國星光電于2020年5月15日申請了一項名為“大發光角度倒裝Mini-LED芯片及其制備方法”的發明專利（申請號: 202010413988.X）,申請人為佛山市國星半導體技術有限公司。 


 

圖1 大發光角度倒裝Mini-LED芯片結構示意圖

圖1為大發光角度倒裝Mini-LED芯片結構示意圖，包括倒裝LED芯片本體1和折射層2。其中，倒裝LED芯片本體1又包括襯底11和發光結構，發光結構位于襯底11正面，折射層2位于襯底11背面。折射層2由多個棱臺21和/或多個錐臺22組成，棱臺21、錐臺22的底面與襯底11連接。發光結構產生的光線從襯底11射出后，經由棱臺21/錐臺22的側面和頂面射出。這種棱臺/錐臺結構，使原先由襯底平坦背面射出的光線變為從棱臺/錐臺側面和頂面射出，有效拓寬了Mini-LED芯片的發光角度。

以折射層2由多個棱臺21組成為例。棱臺21由干法刻蝕工藝或濕法刻蝕工藝形成，多個棱臺21間距均勻分布，相鄰棱臺間的距離為0.5～2μm。棱臺21的形狀一般為四棱臺或六棱臺，其形狀與襯底11的材質以及刻蝕工藝有關，當采用藍寶石襯底時，經過濕法蝕刻后形成六棱臺；當采用硅襯底時，經過濕法蝕刻后，形成四棱臺。一般優選六棱臺，這種棱臺側面個數多，有利于拓寬Mini-LED的發光角度。

當棱臺21的寬度＞10μm時，棱臺數目較少，無法有效提升發光角度；寬度＜3μm時，刻蝕工藝難度高。因此棱臺21的寬度一般為3～10μm，優選為5～8μm。其中當棱臺21底面的邊數≤4條時，棱臺21的寬度是最長邊的寬度；底面的邊數≥5條時，其寬度是距離最遠的兩個端點之間線段的寬度。當棱臺21的高度＞2μm時，棱臺21底角過大，無法有效提升發光角度,高度＜0 .5μm時，棱臺底角過小，光線由于無法折射通過棱臺側面而被全反射，即無法起到提升發光角度的作用，因此棱臺21的高度為0 .5～2μm

為了進一步提升倒裝Mini-LED芯片的發光角度，在折射層2的上方還設有遮擋層。遮擋層位于棱臺21/錐臺22的頂面，可有效防止光線從棱臺21和/或錐臺22的頂面射出，保證光線僅從棱臺21和/或錐臺22的側面射出，有效提升Mini-LED芯片發光角度。

簡而言之，國星光電的Mini-LED芯片專利，通過棱臺結構設計，可有效提升Mini-LED的發光角度，進而使得Mini-LED在大規格的屏幕上有著廣泛應用。

國星半導體是國星光電的控股子公司，致力于研發、生產可用于照明、顯示、背光的氮化鎵基LED芯片。國星掌握了先進的LED外延材料和芯片的制造技術，其產品性能指標已達到國內先進水平。展望未來，國星半導體將繼續研發創新，致力于成為LED芯片制造領先者。

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