北京時間03月08日消息，中國觸摸屏網(wǎng)訊，國星光電加碼LED芯片業(yè)務(wù) 擬2.2億元增資國星半導(dǎo)體。3月6日，國星光電發(fā)布公告稱，公司擬以自有資金2.2億元對國星半導(dǎo)體進行增資，本次增資完成后國星半導(dǎo)體注冊資本由6億元增加至8.2億元。 公告顯示，國星半導(dǎo)體主要從事于LED外延片和芯片、LED器件、LED光源和燈具產(chǎn)品、半導(dǎo)體光電產(chǎn)品的生產(chǎn)、研發(fā)、銷售。其2019年及2020年1-9月實現(xiàn)營收分別為3.21億元、1.32億元；對應(yīng)的凈利潤分別為-8467.43萬元、-3992.63萬元。 國星光電表示，國星半導(dǎo)體是公司全力推進“立足封裝，做大做強，兼顧上下游垂直一體化發(fā)展”戰(zhàn)略的重要支撐，公司本次增資主要用于國星半導(dǎo)體實施技改項目，具體應(yīng)用包括購買相關(guān)設(shè)備、原材料、補充流動資金等，增資意在促進公司LED上游芯片業(yè)務(wù)端發(fā)展，有助于進一步優(yōu)化上游芯片產(chǎn)品結(jié)構(gòu)，增強業(yè)務(wù)盈利能力，深化發(fā)揮產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同效應(yīng)，對公司綜合競爭實力及抗風(fēng)險能力的提升起到重要作用。 不過，國星光電也認為，增資完成后國星半導(dǎo)體在實際經(jīng)營過程中可能受到政策變化、市場競爭、經(jīng)營管理等風(fēng)險因素影響，投資收益可能存在不確定性。公司將持續(xù)加強對國星半導(dǎo)體的資金管理和對外投資風(fēng)險的管理，通過專業(yè)化的運作和管理等方式積極防范和降低相關(guān)風(fēng)險。

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國星光電加碼LED芯片業(yè)務(wù) 擬2.2億元增資國星半導(dǎo)體

 


 

 3月6日，國星光電發(fā)布公告稱，公司擬以自有資金2.2億元對國星半導(dǎo)體進行增資，本次增資完成后國星半導(dǎo)體注冊資本由6億元增加至8.2億元。

公告顯示，國星半導(dǎo)體主要從事于LED外延片和芯片、LED器件、LED光源和燈具產(chǎn)品、半導(dǎo)體光電產(chǎn)品的生產(chǎn)、研發(fā)、銷售。其2019年及2020年1-9月實現(xiàn)營收分別為3.21億元、1.32億元；對應(yīng)的凈利潤分別為-8467.43萬元、-3992.63萬元。

國星光電表示，國星半導(dǎo)體是公司全力推進“立足封裝，做大做強，兼顧上下游垂直一體化發(fā)展”戰(zhàn)略的重要支撐，公司本次增資主要用于國星半導(dǎo)體實施技改項目，具體應(yīng)用包括購買相關(guān)設(shè)備、原材料、補充流動資金等，增資意在促進公司LED上游芯片業(yè)務(wù)端發(fā)展，有助于進一步優(yōu)化上游芯片產(chǎn)品結(jié)構(gòu)，增強業(yè)務(wù)盈利能力，深化發(fā)揮產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同效應(yīng)，對公司綜合競爭實力及抗風(fēng)險能力的提升起到重要作用。

不過，國星光電也認為，增資完成后國星半導(dǎo)體在實際經(jīng)營過程中可能受到政策變化、市場競爭、經(jīng)營管理等風(fēng)險因素影響，投資收益可能存在不確定性。公司將持續(xù)加強對國星半導(dǎo)體的資金管理和對外投資風(fēng)險的管理，通過專業(yè)化的運作和管理等方式積極防范和降低相關(guān)風(fēng)險。

國星光電與包頭稀土研發(fā)中心共建聯(lián)合實驗室 聚焦稀土共晶熒光體半導(dǎo)體激光器

國星光電與中國科學(xué)院包頭稀土研發(fā)中心簽署了共建聯(lián)合實驗室合作協(xié)議，共建“國星光電研究院-中科院包頭稀土研發(fā)中心聯(lián)合實驗室”。

聯(lián)合實驗室將利用包頭市稀土特色產(chǎn)業(yè)及佛山市光電產(chǎn)業(yè)技術(shù)優(yōu)勢，開展稀土共晶熒光體及其在半導(dǎo)體激光器封裝應(yīng)用關(guān)鍵技術(shù)研究。

中國科學(xué)院包頭稀土研發(fā)中心于2015年5月12日掛牌成立，聚焦稀土產(chǎn)業(yè)最新成果，實施高技術(shù)跟蹤計劃，已開展了稀土共晶熒光體、稀土金屬復(fù)合除氟除砷吸附劑、稀土化學(xué)位移試劑等15項高技術(shù)跟蹤項目。建設(shè)中試示范線，建立了稀土硫化物、稀土特種鋼、稀土儲氫合金等10條成果轉(zhuǎn)化中試示范線，推進科技成果走出實驗室并加速轉(zhuǎn)化。

今年1月，國星光電發(fā)布業(yè)績預(yù)告稱，公司預(yù)計2020年度歸屬于上市公司股東的凈利潤為8971.70萬元-11418.53萬元，同比下降72%-78%。上年同期盈利為40780.46萬元。

國星光電改善Mini-LED發(fā)光角度

國星光電表示，其Mini LED芯片已具備量產(chǎn)能力，公司將根據(jù)市場情況實施擴產(chǎn)計劃。國星光電積極與國際知名顯示廠商聯(lián)手合作，已成為某國際大廠進入Mini LED超高清顯示領(lǐng)域首個認證通過的供應(yīng)商。

Mini LED指大小為50～200μm的LED，又稱為次毫米發(fā)光二極管。Mini LED是近年來LED技術(shù)發(fā)展的主力，被廣泛地應(yīng)用到背光、VR屏幕、手機顯示屏小型顯示屏等領(lǐng)域。然而，由于其發(fā)光角小，使其難以應(yīng)用在較大規(guī)格的屏幕上。

為此，國星光電于2020年5月15日申請了一項名為“大發(fā)光角度倒裝Mini-LED芯片及其制備方法”的發(fā)明專利（申請?zhí)? 202010413988.X）,申請人為佛山市國星半導(dǎo)體技術(shù)有限公司。 


 

圖1 大發(fā)光角度倒裝Mini-LED芯片結(jié)構(gòu)示意圖

圖1為大發(fā)光角度倒裝Mini-LED芯片結(jié)構(gòu)示意圖，包括倒裝LED芯片本體1和折射層2。其中，倒裝LED芯片本體1又包括襯底11和發(fā)光結(jié)構(gòu)，發(fā)光結(jié)構(gòu)位于襯底11正面，折射層2位于襯底11背面。折射層2由多個棱臺21和/或多個錐臺22組成，棱臺21、錐臺22的底面與襯底11連接。發(fā)光結(jié)構(gòu)產(chǎn)生的光線從襯底11射出后，經(jīng)由棱臺21/錐臺22的側(cè)面和頂面射出。這種棱臺/錐臺結(jié)構(gòu)，使原先由襯底平坦背面射出的光線變?yōu)閺睦馀_/錐臺側(cè)面和頂面射出，有效拓寬了Mini-LED芯片的發(fā)光角度。

以折射層2由多個棱臺21組成為例。棱臺21由干法刻蝕工藝或濕法刻蝕工藝形成，多個棱臺21間距均勻分布，相鄰棱臺間的距離為0.5～2μm。棱臺21的形狀一般為四棱臺或六棱臺，其形狀與襯底11的材質(zhì)以及刻蝕工藝有關(guān)，當采用藍寶石襯底時，經(jīng)過濕法蝕刻后形成六棱臺；當采用硅襯底時，經(jīng)過濕法蝕刻后，形成四棱臺。一般優(yōu)選六棱臺，這種棱臺側(cè)面?zhèn)�數(shù)多，有利于拓寬Mini-LED的發(fā)光角度。

當棱臺21的寬度＞10μm時，棱臺數(shù)目較少，無法有效提升發(fā)光角度；寬度＜3μm時，刻蝕工藝難度高。因此棱臺21的寬度一般為3～10μm，優(yōu)選為5～8μm。其中當棱臺21底面的邊數(shù)≤4條時，棱臺21的寬度是最長邊的寬度；底面的邊數(shù)≥5條時，其寬度是距離最遠的兩個端點之間線段的寬度。當棱臺21的高度＞2μm時，棱臺21底角過大，無法有效提升發(fā)光角度,高度＜0 .5μm時，棱臺底角過小，光線由于無法折射通過棱臺側(cè)面而被全反射，即無法起到提升發(fā)光角度的作用，因此棱臺21的高度為0 .5～2μm

為了進一步提升倒裝Mini-LED芯片的發(fā)光角度，在折射層2的上方還設(shè)有遮擋層。遮擋層位于棱臺21/錐臺22的頂面，可有效防止光線從棱臺21和/或錐臺22的頂面射出，保證光線僅從棱臺21和/或錐臺22的側(cè)面射出，有效提升Mini-LED芯片發(fā)光角度。

簡而言之，國星光電的Mini-LED芯片專利，通過棱臺結(jié)構(gòu)設(shè)計，可有效提升Mini-LED的發(fā)光角度，進而使得Mini-LED在大規(guī)格的屏幕上有著廣泛應(yīng)用。

國星半導(dǎo)體是國星光電的控股子公司，致力于研發(fā)、生產(chǎn)可用于照明、顯示、背光的氮化鎵基LED芯片。國星掌握了先進的LED外延材料和芯片的制造技術(shù)，其產(chǎn)品性能指標已達到國內(nèi)先進水平。展望未來，國星半導(dǎo)體將繼續(xù)研發(fā)創(chuàng)新，致力于成為LED芯片制造領(lǐng)先者。

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