OLED的成像原理
作者:51Touch時(shí)間:2017-12-28 來源:中國觸摸屏網(wǎng)
北京時(shí)間12月28日消息,中國觸摸屏網(wǎng)訊, 有機(jī)電激發(fā)光二極管(Organic Light-Emitting Diode,OLED)。有機(jī)發(fā)光顯示技術(shù)由非常薄的有機(jī)材料涂層和玻璃基板構(gòu)成。當(dāng)有電荷通過時(shí)這些有機(jī)材料就會發(fā)光。OLED發(fā)光的顏色取決于有機(jī)發(fā)光層的材料,故廠商可由改變發(fā)光層的材料而得到所需之顏色。有源陣列有機(jī)發(fā)光顯示屏具有內(nèi)置的電子電路系統(tǒng)因此每個(gè)像素都由一個(gè)對應(yīng)的電路獨(dú)立驅(qū)動。OLED具備有構(gòu)造簡單、自發(fā)光不需背光源、對比度高、厚度薄、視角廣、反應(yīng)速度快、可用于撓曲性面板、使用溫度范圍廣等優(yōu)點(diǎn),技術(shù)提供了瀏覽照片和視頻的最佳方式而且對相機(jī)的設(shè)計(jì)造成的限制較少。
OLED,即有機(jī)發(fā)光二極管(Organic Light-Emitting Diode),又稱為有機(jī)電激光顯示(Organic Electroluminesence Display, OELD)。因?yàn)榫邆漭p薄、省電等特性,因此從2003年開始,這種顯示設(shè)備在MP3播放器上得到了廣泛應(yīng)用,而對于同屬數(shù)碼類產(chǎn)品的DC與手機(jī),此前只是在一些展會上展示過采用OLED屏幕的工程樣品,還并未走入實(shí)際應(yīng)用的階段。但OLED屏幕卻具備了許多LCD不可比擬的優(yōu)勢。
概述:
OLED顯示技術(shù)與傳統(tǒng)的LCD顯示方式不同,無需背光燈,采用非常薄的有機(jī)材料涂層和玻璃基板,當(dāng)有電流通過時(shí),這些有機(jī)材料就會發(fā)光。而且OLED顯示屏幕可以做得更輕更薄,可視角度更大,并且能夠顯著節(jié)省電能。 目前在OLED的二大技術(shù)體系中,低分子OLED技術(shù)為日本掌握,而高分子的PLEDLG手機(jī)的所謂OEL就是這個(gè)體系,技術(shù)及專利則由英國的科技公司CDT掌握,兩者相比PLED產(chǎn)品的彩色化上仍有困難。而低分子OLED則較易彩色化,不久前三星就發(fā)布了65530色的手機(jī)用OLED。 不過,雖然將來技術(shù)更優(yōu)秀的OLED會取代TFT等LCD,但有機(jī)發(fā)光顯示技術(shù)還存在使用壽命短、屏幕大型化難等缺陷。目前采用OLED的主要是三星如新上市的SCH-X339就采用了256色的OLED,至于OEL則主要被LG采用在其CU8180 8280上我們都有見到。 為了形像說明OLED構(gòu)造,可以將每個(gè)OLED單元比做一塊漢堡包,發(fā)光材料就是夾在中間的蔬菜。每個(gè)OLED的顯示單元都能受控制地產(chǎn)生三種不同顏色的光。OLED與LCD一樣,也有主動式和被動式之分。被動方式下由行列地址選中的單元被點(diǎn)亮。主動方式下,OLED單元后有一個(gè)薄膜晶體管(TFT),發(fā)光單元在TFT驅(qū)動下點(diǎn)亮。被動式的OLED比較省電,但主動式的OLED顯示性能更佳。
結(jié)構(gòu),原理:
OLED的基本結(jié)構(gòu)是由一薄而透明具半導(dǎo)體特性之銦錫氧化物(ITO),與電力之正極相連,再加上另一個(gè)金屬陰極,包成如三明治的結(jié)構(gòu)。整個(gè)結(jié)構(gòu)層中包括了:空穴傳輸層(HTL)、發(fā)光層(EL)與電子傳輸層(ETL)。當(dāng)電力供應(yīng)至適當(dāng)電壓時(shí),正極空穴與陰極電荷就會在發(fā)光層中結(jié)合,產(chǎn)生光亮,依其配方不同產(chǎn)生紅、綠和藍(lán)RGB三原色,構(gòu)成基本色彩。OLED的特性是自己發(fā)光,不像TFT LCD需要背光,因此可視度和亮度均高,其次是電壓需求低且省電效率高,加上反應(yīng)快、重量輕、厚度薄,構(gòu)造簡單,成本低等,被視為 21世紀(jì)最具前途的產(chǎn)品之一。 有機(jī)發(fā)光二極體的發(fā)光原理和無機(jī)發(fā)光二極體相似。當(dāng)元件受到直流電(Direct Current;DC)所衍生的順向偏壓時(shí),外加之電壓能量將驅(qū)動電子(Electron)與空穴(Hole)分別由陰極與陽極注入元件,當(dāng)兩者在傳導(dǎo)中相遇、結(jié)合,即形成所謂的電子-空穴復(fù)合(Electron-Hole Capture)。而當(dāng)化學(xué)分子受到外來能量激發(fā)后,若電子自旋(Electron Spin)和基態(tài)電子成對,則為單重態(tài)(Singlet),其所釋放的光為所謂的熒光(Fluorescence);反之,若激發(fā)態(tài)電子和基態(tài)電子自旋不成對且平行,則稱為三重態(tài)(Triplet),其所釋放的光為所謂的磷光(Phosphorescence)。 當(dāng)電子的狀態(tài)位置由激態(tài)高能階回到穩(wěn)態(tài)低能階時(shí),其能量將分別以光子(Light Emission)或熱能(Heat Dissipation)的方式放出,其中光子的部分可被利用當(dāng)作顯示功能;然有機(jī)熒光材料在室溫下并無法觀測到三重態(tài)的磷光,故PM-OLED元件發(fā)光效率之理論極限值僅25%。 PM-OLED發(fā)光原理是利用材料能階差,將釋放出來的能量轉(zhuǎn)換成光子,所以我們可以選擇適當(dāng)?shù)牟牧袭?dāng)作發(fā)光層或是在發(fā)光層中摻雜染料以得到我們所需要的發(fā)光顏色。此外,一般電子與電洞的結(jié)合反應(yīng)均在數(shù)十納秒(ns)內(nèi),故PM-OLED的應(yīng)答速度非常快。 P.S.:PM-OLEM的典型結(jié)構(gòu)。典型的PM-OLED由玻璃基板、 ITO(indium tin oxide;銦錫氧化物)陽極(Anode)、有機(jī)發(fā)光層(Emitting Material Layer)與陰極(Cathode)等所組成,其中,薄而透明的ITO陽極與金屬陰極如同三明治般地將有機(jī)發(fā)光層包夾其中,當(dāng)電壓注入陽極的空穴(Hole)與陰極來的電子(Electron)在有機(jī)發(fā)光層結(jié)合時(shí),激發(fā)有機(jī)材料而發(fā)光。 而目前發(fā)光效率較佳、普遍被使用的多層PM-OLED結(jié)構(gòu),除玻璃基板、陰陽電極與有機(jī)發(fā)光層外,尚需制作空穴注入層(Hole Inject Layer;HIL)、空穴傳輸層(Hole Transport Layer;HTL)、電子傳輸層(Electron Transport Layer;ETL)與電子注入層(Electron Inject Layer;EIL)等結(jié)構(gòu),且各傳輸層與電極之間需設(shè)置絕緣層,因此熱蒸鍍(Evaporate)加工難度相對提高,制作過程亦變得復(fù)雜。 由于有機(jī)材料及金屬對氧氣及水氣相當(dāng)敏感,制作完成后,需經(jīng)過封裝保護(hù)處理。PM-OLED雖需由數(shù)層有機(jī)薄膜組成,然有機(jī)薄膜層厚度約僅1,000~1,500A°(0.10~0.15 um),整個(gè)顯示板(Panel)在封裝加干燥劑(Desiccant)后總厚度不及200um(2mm),具輕薄之優(yōu)勢。
有機(jī)發(fā)光材料的選用
有機(jī)材料的特性深深地影響元件之光電特性表現(xiàn)。在陽極材料的選擇上,材料本身必需是具高功函數(shù)(High work function)與可透光性,所以具有4.5eV-5.3eV的高功函數(shù)、性質(zhì)穩(wěn)定且透光的ITO透明導(dǎo)電膜,便被廣泛應(yīng)用于陽極。在陰極部分,為了增加元件的發(fā)光效率,電子與電洞的注入通常需要低功函數(shù)(Low work function)的Ag、Al、Ca、In、Li與Mg等金屬,或低功函數(shù)的復(fù)合金屬來制作陰極(例如:Mg-Ag鎂銀)。 適合傳遞電子的有機(jī)材料不一定適合傳遞電洞,所以有機(jī)發(fā)光二極體的電子傳輸層和電洞傳輸層必須選用不同的有機(jī)材料。目前最常被用來制作電子傳輸層的材料必須制膜安定性高、熱穩(wěn)定且電子傳輸性佳,一般通常采用螢光染料化合物。如Alq、Znq、Gaq、Bebq、Balq、DPVBi、ZnSPB、PBD、OXD、BBOT等。而電洞傳輸層的材料屬于一種芳香胺螢光化合物,如TPD、TDATA等有機(jī)材料。 有機(jī)發(fā)光層的材料須具備固態(tài)下有較強(qiáng)螢光、載子傳輸性能好、熱穩(wěn)定性和化學(xué)穩(wěn)定性佳、量子效率高且能夠真空蒸鍍的特性,一般有機(jī)發(fā)光層的材料使用通常與電子傳輸層或電洞傳輸層所采用的材料相同,例如Alq被廣泛用于綠光,Balq和DPVBi則被廣泛應(yīng)用于藍(lán)光。 一般而言,OLED可按發(fā)光材料分為兩種:小分子OLED和高分子OLED(也可稱為PLED)。小分子OLED和高分子OLED的差異主要表現(xiàn)在器件的制備工藝不同:小分子器件主要采用真空熱蒸發(fā)工藝,高分子器件則采用旋轉(zhuǎn)涂覆或噴涂印刷工藝。小分子材料廠商主要有:Eastman、Kodak、出光興產(chǎn)、東洋INK制造、三菱化學(xué)等;高分子材料廠商主要有:CDT、Covin、Dow Chemical、住友化學(xué)等。目前國際上與OLED有關(guān)的專利已經(jīng)超過1400份,其中最基本的專利有三項(xiàng)。小分子OLED的基本專利由美國Kodak公司擁有,高分子OLED的專利由英國的CDT(Cambridge DisPlay Technology)和美國的Uniax公司擁有。
關(guān)鍵工藝
一、氧化銦錫(ITO)基板前處理 (1) ITO表面平整度:ITO目前已廣泛應(yīng)用在商業(yè)化的顯示器面板制造,其具有高透射率、低電阻率及高功函數(shù)等優(yōu)點(diǎn)。一般而言,利用射頻濺鍍法(RF sputtering)所制造的ITO,易受工藝控制因素不良而導(dǎo)致表面不平整,進(jìn)而產(chǎn)生表面的尖端物質(zhì)或突起物。另外高溫鍛燒及再結(jié)晶的過程亦會產(chǎn)生表面約10 ~ 30nm的突起層。這些不平整層的細(xì)粒之間所形成的路徑會提供空穴直接射向陰極的機(jī)會,而這些錯(cuò)綜復(fù)雜的路徑會使漏電流增加。一般有三個(gè)方法可以解決這表面層的影響?U一是增加空穴注入層及空穴傳輸層的厚度以降低漏電流,此方法多用于PLED及空穴層較厚的OLED(~200nm)。二是將ITO玻璃再處理,使表面光滑。三是使用其它鍍膜方法使表面平整度更好。 (2) ITO功函數(shù)的增加:當(dāng)空穴由ITO注入HIL時(shí),過大的位能差會產(chǎn)生蕭基能障,使得空穴不易注入,因此如何降低ITO / HIL接口的位能差則成為ITO前處理的重點(diǎn)。一般我們使用O2-Plasma方式增加ITO中氧原子的飽和度,以達(dá)到增加功函數(shù)之目的。ITO經(jīng)O2-Plasma處理后功函數(shù)可由原先之4.8eV提升至5.2eV,與HIL的功函數(shù)已非常接近。 加入輔助電極,由于OLED為電流驅(qū)動組件,當(dāng)外部線路過長或過細(xì)時(shí),于外部電路將會造成嚴(yán)重之電壓梯度,使真正落于OLED組件之電壓下降,導(dǎo)致面板發(fā)光強(qiáng)度減少。由于ITO電阻過大(10 ohm / square),易造成不必要之外部功率消耗,增加一輔助電極以降低電壓梯度成了增加發(fā)光效率、減少驅(qū)動電壓的快捷方式。鉻(Cr:Chromium)金屬是最常被用作輔助電極的材料,它具有對環(huán)境因子穩(wěn)定性佳及對蝕刻液有較大的選擇性等優(yōu)點(diǎn)。然而它的電阻值在膜層為100nm時(shí)為2 ohm / square,在某些應(yīng)用時(shí)仍屬過大,因此在相同厚度時(shí)擁有較低電阻值的鋁(Al:Aluminum)金屬(0.2 ohm / square)則成為輔助電極另一較佳選擇。但是,鋁金屬的高活性也使其有信賴性方面之問題因此,多疊層之輔助金屬則被提出,如:Cr / Al / Cr或Mo / Al / Mo,然而此類工藝增加復(fù)雜度及成本,故輔助電極材料的選擇成為OLED工藝中的重點(diǎn)之一。
二、陰極工藝 在高解析的OLED面板中,將細(xì)微的陰極與陰極之間隔離,一般所用的方法為蘑菇構(gòu)型法(Mushroom structure approach),此工藝類似印刷技術(shù)的負(fù)光阻顯影技術(shù)。在負(fù)光阻顯影過程中,許多工藝上的變異因子會影響陰極的品質(zhì)及良率。例如,體電阻、介電常數(shù)、高分辨率、高Tg、低臨界維度(CD)的損失以及與ITO或其它有機(jī)層適當(dāng)?shù)酿ぶ涌诘取?
三、封裝 ⑴ 吸水材料:一般OLED的生命周期易受周圍水氣與氧氣所影響而降低。水氣來源主要分為兩種:一是經(jīng)由外在環(huán)境滲透進(jìn)入組件內(nèi),另一種是在OLED工藝中被每一層物質(zhì)所吸收的水氣。為了減少水氣進(jìn)入組件或排除由工藝中所吸附的水氣,一般最常使用的物質(zhì)為吸水材(Desiccant)。Desiccant可以利用化學(xué)吸附或物理吸附的方式捕捉自由移動的水分子,以達(dá)到去除組件內(nèi)水氣的目的。 ⑵ 工藝及設(shè)備開發(fā):封裝工藝之流程如圖四所示,為了將Desiccant置于蓋板及順利將蓋板與基板黏合,需在真空環(huán)境或?qū)⑶惑w充入不活潑氣體下進(jìn)行,例如氮?dú)狻V档米⒁獾氖牵绾巫屔w板與基板這兩部分工藝銜接更有效率、減少封裝工藝成本以及減少封裝時(shí)間以達(dá)最佳量產(chǎn)速率,已儼然成為封裝工藝及設(shè)備技術(shù)發(fā)展的3大主要目標(biāo)。
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