北京時間10月11日消息，中國觸摸屏網訊，第三代半導體材料的禁帶寬度是第一代和第二代半導體禁帶寬度的近3倍，在高溫、高壓、高功率和高頻領域將替代前兩代半導體材料。

氮化鎵GaN已在消費電子率先突破，中高壓領域或后來居上：采用GaN-on-Si的功率器件工作電壓在1000V以下，成本在1美金左右。氮化鎵GaN功率器件在低壓領域（0-900V）率先商用，替代傳統的硅基功率器件。更有實驗室宣布最新工作電壓可達1200V的硅基GaN外延片，如若該技術商業化順利，1000V以上中高壓領域，硅基GaN也有可能獲得一部分市場份額。
新能源汽車為碳化硅SiC的最重要應用領域，如主驅逆變器、DC/DC轉換器、車載充電機和充電樁等。相較于硅基IGBT，碳化硅SiC MOSFET電動車的續航里程更長。EPA城市路況下，碳化硅SiC MOSFET相較于硅基IGBT，將節省77%的能量損耗。EPA高速路況下，碳化硅SiC MOSFET相較于硅基IGBT，節省85%的能量損耗。能耗節省直觀增加車輛續航里程，使用碳化硅SiC MOSFET的電動車比使用硅基IGBT電動車將增加5-10%的續航里程。
目前我國廠商已布局第三代半導體的設備、襯底、外延和器件全產業鏈環節，包括難度最大的襯底長晶環節，自動化程度較高的外延環節和應用于下游市場的器件環節。整體來看我國第三代半導體全產業鏈自主可控能力較強。
氮化鎵GaN單晶生長困難問題有何良策？
氮化鎵GaN何時可提升其射頻市場的滲透率？
碳化硅良率提升問題如何解決？
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同期峰會預告：
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