北京時間08月26日消息，中國觸摸屏網訊，繼2016年科技部、工信部、國家發改委等多部委出臺多項對第三代半導體布局的政策后，福建省“緊跟潮流“出臺了多項政策支持第三代半導體產業的發展。

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政策上的加持使得福建第三代半導體的發展勢如破竹。截至目前，總投資超550億元，超8個第三代半導體項目落戶福建。

 


 

2016年4月25日，《福建省“十三五”戰略性新興產業發展專項規劃》發布，根據規劃，福建將重點支持大功率芯片和器件、驅動電路及標準化模組、LED封裝測試等關鍵器件與設備以及第三代半導體材料、金屬有機化合物（MO）源等關鍵材料的研發。

此外，福建省更是計劃投入500億，成立專門的安芯基金來建設第三代半導體產業集群。

據悉，安芯基金將以70%的資金投向III-V化合物集成電路產業群，重點支持福建省泉州市發展集成電路產業和半導體等高尖端技術產業，積極推進國際領先的III-V族化合物集成電路產業和半導體等高尖端技術產業的建設和發展。

目前來看，福建第三代半導體項目主要分布在廈門、福州、泉州、莆田等地區，這些地區大多出臺了政策支持第三代半導體。其中，廈門第三代半導體項目數量相對較多，支持力度也相對較大。

廈門

一直以來，廈門積極布局第三代半導體碳化硅產業鏈。2019年9月29日，廈門市科技局召開未來產業專場新聞發布會，發布會上，第三代半導體被列入廈門十大未來產業行列。此舉更突出了第三代半導體在廈門的地位。

其實，早在2016年，廈門就有出臺政策支持第三代半導體產業。

2016年6月，廈門市人民政府發布《廈門市“十三五”戰略性新興產業發展規劃的通知》，根據通知，廈門將加快推進通訊微電子器件生產能力建設，推進碳化硅外延、器件、模塊項目建設，搶先布局以電力電子為重點的第三代半導體產業鏈，爭取引進存儲芯片（DRAM）生產線。

2018年4月，《廈門市加快發展集成電路產業實施細則》出臺，細則鼓勵在廈門新建（擴建）的集成電路生產線（項目）、化合物半導體器件制造、模塊、外延片生產項目（企業）、微機電系統（MEMS）、功率半導體器件和特色工藝項目（企業）。

在廈門市積極出臺政策、發放福利的同時，士蘭微、瀚天天成、華天恒芯、芯光潤澤科技等紛紛在廈門布局。

瀚天天成電子碳化硅半導體外延晶片生產線

瀚天天成電子科技(廈門)有限公司（簡稱“瀚天天成”）成立于2011年，是一家集研發、生產、銷售碳化硅外延晶片的中美合資高新技術企業。

2012年3月9日，瀚天天成宣布開始接受商業化碳化硅半導體外延晶片訂單，正式向國內外市場供應產業化3英寸和4英寸碳化硅半導體外延晶片。

2012年4月上旬，瀚天天成商業化碳化硅半導體外延晶片生產線正式投產。據中國經濟網當時報道，瀚天天成成為我國第一家提供產業化量產3英寸和4英寸碳化硅半導體外延晶片的生產商，此舉填補了國內該領域的空白。

據閩南網2016年報道，2014年，瀚天天成又實現6英寸碳化硅外延晶片投產，再度填補國內空白，成為國際上僅有的4家生產商之一。

廈門華天恒芯SiC器件生產線項目

2018年8月，華天恒芯半導體（廈門）有限公司與廈門火炬產業發展基金簽訂合作框架協議，雙方將就華天恒芯第三代半導體碳化硅項目開展合作。

華天恒芯第三代半導體碳化硅項目致力于發展第三代半導體碳化硅器件研發、制造及銷售，項目落戶廈門翔安高新技術區產業基地，預計總投資達25億元人民幣，計劃建成國內首條、國際領先的6英寸碳化硅芯片生產線。

廈門芯光潤澤科技碳化硅智能功率模塊生產線

廈門芯光潤澤科技有限公司成立于2016年3月，投資20億元在福建廈門翔安建設碳化硅功率模塊封裝廠，主要進行第三代半導體碳化硅功率模塊的設計、研發及制造，形成硅基和碳化硅半導體材料的大功率分立器件、大功率模塊系列產品生產線。項目建成后，年產能可達1150萬套大功率模塊。

2016年12月，廈門芯光潤澤科技有限公司第三代半導體功率模塊產業化項目舉行開工典禮。

2018年9月18日，廈門芯光潤澤科技碳化硅智能功率模塊生產線正式投產，據廈門網報道，這是國內首條全碳化硅智能功率模塊IPM產線。

士蘭化合物半導體生產線項目

2018年10月18日，士蘭微廈門12英寸特色工藝芯片生產線暨先進化合物半導體生產線在廈門海滄動工。

據悉，廈門士蘭明鎵化合物半導體有限公司總投資50億元，分兩期實施，建設4英寸、6英寸的化合物芯片生產線。項目一期計劃2021年達產；項目二期計劃2021年啟動，2024年達產。

2019年12月23日，士蘭化合物半導體芯片制造生產線試產。截止當時，一期項目主要設備已全部進場安裝調試完成，砷化鎵與氮化鎵芯片產品已分別于2019年10月18日、12月10日正式通線點亮。

福州

2019年2月，福州市人民政府發布《關于加快培育一批產業基地打造新經濟增長點的意見》，重點引進第三代半導體、人工智能芯片以及芯片封裝測試項目。加快高意科技、熔城半導體、兆元光電等項目建設，推動福順微電子、福順半導體等企業實施技術改造和工藝改進。

第三代半導體IDM基地熔城半導體項目

2018年4月23日，熔城半導體項目簽約，項目總投資100億元，分三期進行。

該項目一期投資30億元，將完成高端封測和模組制造基地建設；二期投資50億元，將完成第三代半導體外延片建設；三期投資20億元，將完成芯片制造基地建設。

據福州高新區官網介紹，該項目的總體目標是在2027年前發展成為世界最高先進水平的第三代半導體IDM產業基地。基地包括世界首個2μ載板級SIP封測及模組商用量產線和各類生產、研發、創新及相關配套設施。

2018年12月，福州高新區第三代半導體IDM基地熔城半導體項目完成清表工作，正式進入施工階段。

泉州

2018年6月，泉州市政府發布《泉州市推進電子信息產業重大項目行動方案（2018—2020年）》，未來三年，泉州電子信息產業主要依托半導體高新技術產業園區（泉州芯谷），圍繞集成電路、化合物半導體、光電、智能終端等四大領域，新增投資1200億元，新增產值800億元；扶持形成3家主營收入超100億元的龍頭產業、15家主營收入超10億元的核心企業。

三安高端半導體項目

2017年12月26日，泉州芯谷南安園區三安高端半導體項目正式開工建設。

項目投資總額 333 億元，包括高端氮化鎵LED襯底、外延、芯片的研發與制造產業化項目，高端砷化鎵LED外延、芯片的研發與制造產業化項目，大功率氮化鎵激光器的研發與制造產業化項目等七大產業集群。

2017年12月5日，三安光電曾發布公告，稱與福建省泉州市人民政府和福建省南安市人民政府簽署《投資合作協議》的議案。根據協議約定，全部項目五年內實現投產，七年內全部項目實現達產，經營期限不少于 25 年。

2019年6月4日，三安高端半導體項目接通了11萬伏高壓電和生產生活用水，這標志著三安半導體項目上了一個新的臺階，項目也即將進入試投產了。

據了解，三安光電在泉州芯谷南安園區設立全資子公司投資集成電路、LED外延和芯片的研發與制造產業和項目，公司名稱暫定為泉州三安半導體科技有限公司，注冊資本 20 億元。

莆田

莆田砷化鎵一期生產線建設項目

莆田砷化鎵生產線建設項目一期投資10億元，年產6英寸砷化鎵3.6萬片。

2016年，福建省福聯集成電路有限公司啟動一期六英寸砷化鎵集成電路芯片生產線項目建設，2017年完成生產線的通線，具備砷化鎵射頻功放芯片的量產能力與軍工雷達收發芯片的合作開發能力。

據涵江時訊2018年消息，項目已實現試生產。

莆田福聯砷化鎵和氮化鎵二期6英寸集成電路芯片生產線項目

據悉，莆田福聯砷化鎵和氮化鎵二期6英寸集成電路芯片生產線項目二期投資20億元，建設6英寸氮化鎵、碳化硅集成電路生產線項目。該項目屬于國家重點發展的戰略性、前瞻性項目，將打造福建省射頻與功率芯片制造工程研究中心。

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